特許
J-GLOBAL ID：200903098369880069
半導体プロセスの管理方法及びその管理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023686
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219347
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造装置の装置状態を示す各パラメータの管理基準を最適な値に設定できるようにすると共に、デバイス特性に不良箇所が発生した場合に、不良要因となった製造装置を複数の製造装置の中から容易に抽出でき、且つ、容易に解析できるようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体プロセスの管理装置は、半導体製造装置11の状態を示す装置状態データ12を記憶装置17に記憶する手段と、半導体製造装置11により処理された半導体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品データ14を記憶装置17に記憶する手段と、該半導体デバイスが処理された時刻を基準にして装置状態データ12と製品データ14との相関関係を求める手段とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを処理する半導体製造装置の所定時間ごとの状態を示す装置状態データを記憶する工程と、前記半導体製造装置により処理された半導体デバイスの歩留まりや電気特性等の製品データを記憶する工程と、前記半導体デバイスが処理された時刻を基準にして前記装置状態データと前記製品データとの相関関係を求める工程とを備えていることを特徴とする半導体プロセスの管理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, G06F 17/60
, H01L 21/66
H01L 21/02 Z
, H01L 21/66 A
, G06F 15/21 R
