特許

J-GLOBAL ID：200903098370094921

半導体装置

発明者： 若林 秀幸 ,  上田 啓介
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (2件)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-365679
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200316
出願日： 2002年12月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】放熱性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】配線基板21上に半導体チップ25が電気的に接続して搭載され、該半導体チップ25が封止樹脂27により封止されている半導体装置20において、前記半導体チップ25表面にメタライズ部が形成され、該メタライズ部に一端が接続された放熱用の金属線28が複数本設けられ、該各金属線28の他端が前記封止樹脂27表面から露出していることを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配線基板上に半導体チップが電気的に接続して搭載され、該半導体チップが封止樹脂により封止されている半導体装置において、 前記半導体チップ表面にメタライズ部が形成され、該メタライズ部に一端が接続された放熱用の金属線が複数本設けられ、該各金属線の他端が前記封止樹脂表面から露出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/29 ,  H01L23/36

FI (2件)：

H01L23/36 A ,  H01L23/36 D

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BE01