特許

J-GLOBAL ID：200903098370826981

厚膜パターン形成方法

発明者： 小坂 陽三 ,  水野 克彦 ,  中村 剛
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 内田 亘彦 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206129
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200237
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 サンドブラスト加工法を使用したPDP等の厚膜パターン形成方法の歩留りを向上させ、表面平滑性に優れ、膜厚が均一で分布精度の良好で形状性に優れる厚膜パターンを得る。【解決手段】 ベースフイルム上にガラスフリットからなる無機成分、熱可塑性樹脂、及び150°C〜400°Cの沸点を有する高沸点溶剤とからなる厚膜パターン形成層12を有する転写シートから、厚膜パターン形成層を基板上に転写した後ベースフイルムを剥離し、転写された厚膜パターン形成層の高沸点溶剤を揮発除去させ、高沸点溶剤を揮発除去した厚膜パターン形成層上にレジストパターン17を形成し、レジストパターンの開口部の厚膜パターン形成層をサンドブラスト加工により除去し、厚膜パターン形成層上のレジストパターンを除去し、焼成により厚膜パターン形成層を焼結し、厚膜パターン18を得る。

請求項（抜粋）：

(1) ベースフイルム上に少なくともガラスフリットを有する無機成分、熱可塑性樹脂、及び150°C〜400°Cの沸点を有する高沸点溶剤とからなる厚膜パターン形成層を有する転写シートから、その厚膜パターン形成層を基板上に転写した後、ベースフイルムを剥離する第1工程、(2) 転写された厚膜パターン形成層における前記高沸点溶剤を揮発除去させる第2工程、(3) 高沸点溶剤を揮発除去した厚膜パターン形成層上にレジストパターンを形成する第3工程、(4) 該レジストパターンの開口部の厚膜パターン形成層をサンドブラスト加工により除去する第4工程、(5) 厚膜パターン形成層上のレジストパターンを除去する第5工程、(6) 焼成により障壁形成層を焼結する第6工程とからなることを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/20 ,  G09F 9/30 315 ,  H01J 9/02

FI (3件)：

H05K 3/20 A ,  G09F 9/30 315 ,  H01J 9/02 F