特許

J-GLOBAL ID：200903098372468160

基板処理装置

発明者： 笠次 克尚
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-283718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092238
出願日： 2001年09月18日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板の昇温速度を向上し、成膜時の被処理基板温度を均一化する。【解決手段】 基板処理装置は、真空容器内で被処理基板Wを保持しつつ回転させる基板保持体2を備える。基板保持体2は、被処理基板Wを載置するリング状載置部12を有する回転体10と、回転体10内に回転体とは非接触で設けられ、被処理基板Wを加熱するヒータ、ヒータ支持体、支持軸等を一体化したヒータ部50とを有する。被処理基板Wを所定の温度に昇温させる際は、回転体10に対して上昇させたヒータ部50に被処理基板Wを接触保持させた状態で直接加熱する。昇温後、被処理基板Wを成膜処理する際には、回転体10に対して下降させたヒータ部50から被処理基板Wを離間させるとともに、リング状載置部12に被処理基板Wを保持させた状態で、載置部12に保持した被処理基板Wをヒータ部50に対して相対的に回転させることにより被処理基板Wの処理を行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板に対して接離可能に設けられ、前記被処理基板を所定の温度に昇温させる際は、前記被処理基板に接触保持させた状態で前記被処理基板を加熱し、前記昇温後、前記被処理基板を処理する際は、前記被処理基板から離した状態で加熱する加熱手段と、前記被処理基板から離した状態で前記被処理基板を加熱する基板処理の際に、前記被処理基板を保持するとともに、前記加熱手段に対して前記被処理基板を相対的に回転させる保持手段とを備えた基板処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  B05C 9/10 ,  B05C 9/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/02 Z ,  B05C 9/10 ,  B05C 9/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 R ,  H01L 21/302 B

Fターム (29件)：

4F042AA02 ,  4F042AA06 ,  4F042BA19 ,  4F042DA09 ,  4F042DF09 ,  4F042DF32 ,  4F042EB09 ,  4F042EB30 ,  5F004AA01 ,  5F004BA00 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F045AB32 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EB03 ,  5F045EK09 ,  5F045EM03 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10