特許

J-GLOBAL ID：200903098377640310

半導体単結晶の育成方法

発明者： 肥後 信司
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-133187
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 絞りから直胴部育成に至る各工程において、それぞれ所定の形状規格を満足する単結晶を引き上げることができるような半導体単結晶の育成方法を提供する。【構成】 図の中心線の左半分に示すように、放射温度計6,7による融液表面温度測定値に基づいて融液表面の温度勾配を算出し、この温度勾配が所定の範囲に入るようにるつぼ軸3を上下動させる。また、融液8の上方に逆円錐状の熱反射板10を設置し、前記温度勾配に基づいて、熱反射板10の上下動制御を行う。あるいは中心線の右半分に示すように、融液8の直上に単結晶9を取り巻くように環状の保温材12を水平に設置し、2個の放射温度計による融液表面温度測定値から算出された融液表面の温度勾配に基づいて、前記保温材12の高さを制御する。これらの制御を単独または組み合わせて行うことにより、変形のない単結晶が得られる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法による半導体単結晶の育成において、るつぼ内に貯留した融液の表面温度を2箇所について非接触式温度測定手段により測定し、前記2箇所の温度測定値から算出した融液表面の温度勾配が所定の範囲を維持するように前記単結晶の引き上げ条件を制御することを特徴とする半導体単結晶の育成方法。

IPC (5件)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208