半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263471
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120357
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】長期信頼性が高く、良好な電気特性を有し、従来より高い歩留で製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】層間接続孔4の内部に第1導電膜層5及び第2導電膜層6を順次形成し、この第2導電膜層6上にこの層間接続孔径の約1/3の厚さの膜厚で第1低抵抗金属膜8を形成する。この第1低抵抗金属膜8をレーザー照射により溶融させて層間接続孔4内に充填する。更に、この第1低抵抗金属膜8上に第3導電膜層9、第4導電膜層10及び第2低抵抗金属膜12を順次形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成する絶縁膜と、この絶縁膜を開口して得る層間接続孔と、この層間接続孔の内面に形成された第1導電膜層と、この第1導電膜層上に形成された第2導電膜層と、この第2導電膜層上に所定の厚さに形成した後レーザーにより溶融して前記層間接続孔内に充填された第1低抵抗金属膜と、この第1低抵抗金属膜及び前記絶縁膜上に形成する第3導電膜層と、この第3導電膜層上に形成する第4導電膜層と、この第4導電膜層上に形成する第2低抵抗金属膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-270234
特開平2-168625
特開平3-255623

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