特許
J-GLOBAL ID:200903098386086198
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 幸彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-199672
公開番号(公開出願番号):特開平7-074160
出願日: 1986年02月19日
公開日(公表日): 1995年03月17日
要約:
【要約】【目的】エッチング速度を向上させ、さらに優れた加工特性を得ることが安価に実現できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【構成】プラズマ室1内に、試料3を載せる試料台2が設けてある。試料台2に、コンデンサ4を介して交流電圧を印加する高周波電源5が接続されている。高周波電源5は、13.56MHzの高周波を発振する。試料台2の周辺は、アース電極6によりアースされている。試料台2の試料面に対向する側のプラズマ室1の端部1aを囲むように、 導波管7、マイクロ波発振源8、直流電源9および磁石10が設けてあり、プラズマ室1内の処理ガスをプラズマ化し、プラズマ11を発生させる。プラズマ室1の端部1a付近には、図示しないガス供給装置からプラズマ室1内に処理ガスを導入するガス導入口12が設けてある。端部1aの反対側には、図示しない排気装置に継ながる排気口が設けてある。
請求項(抜粋):
真空容器と、該真空容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、前記真空容器内を所定圧力に減圧排気する排気装置と、前記真空容器内の処理ガスをプラズマ化する手段と、前記真空容器内に設けられ試料を支持する試料台と、該試料台に周波数13.56MHzの高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段とを具備することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2件):
引用特許:
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