特許

J-GLOBAL ID：200903098386420357

複合発光体薄膜及びその製造方法及び薄膜EL素子

発明者： 岡嶋 道生 ,  任田 隆夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226988
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013172
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 赤色、緑色、青色等で発光する発光素子に関するもので、広いバンドギャップを有する半導体材料の薄膜を用い、効率よく短波長でも発光する発光素子を提供する。【構成】 GaAs基板(111)面上にエピタキシャル成長させることでウルツ鉱型MnSよりなる障壁層2とZnCdSよりなる蛍光体薄膜3の積層構造よりなる複合発光体薄膜を形成する。この複合発光体薄膜の外側から電圧を印加する電極を付設して薄膜EL素子を形成する。

請求項（抜粋）：

厚さが50nm以下、1nm以上のII-VI族化合物半導体もしくはそれらの混晶を主成分とする蛍光体薄膜を、その蛍光体薄膜のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップの、マンガンとVI族元素とを含む閃亜鉛鉱型あるいはウルツ鉱型結晶構造の化合物半導体からなる障壁層で挟持した構成を、単独もしくは複数回繰り返して設けたことを特徴とする複合発光体薄膜。

IPC (4件)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-165993
  
• 特開昭61-267298
  
• 特開昭61-165993
  
• 特開昭61-267298