特許
J-GLOBAL ID:200903098399556339

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-185650
公開番号(公開出願番号):特開2001-015666
出願日: 1999年06月30日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 良好な半田付け性と良好な接続信頼性を有し、人体に悪影響を与えるPbを含まず、経済的に、しかも品質を安定させて量産が可能であり、リードフレーム素材の制約もない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子27とワイヤーボンディングされたインナーリード部29が封止材35によって封止され、このインナーリード部29に連設されるとともに外部機器と接続されるアウターリード部37が、封止材37から延出された半導体装置41において、アウターリード部37に、Sn-Cu合金メッキ被膜39を形成する。このSn-Cu合金メッキ被膜39の形成は、半導体素子27及びインナーリード部29を封止材35によって封止した後に、封止材35から延出されたアウターリード部37に形成することが好ましい。
請求項(抜粋):
半導体素子とワイヤーボンディングされたインナーリード部が封止材によって封止され、該インナーリード部に連設されるとともに外部機器と接続されるアウターリード部が、前記封止材から延出された半導体装置において、前記アウターリード部に、Sn-Cu合金メッキ被膜が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301
FI (2件):
H01L 23/50 D ,  H01L 21/60 301 F
Fターム (12件):
5F044AA01 ,  5F044FF04 ,  5F044FF06 ,  5F044GG01 ,  5F067AA13 ,  5F067BB10 ,  5F067DC11 ,  5F067DC12 ,  5F067DC16 ,  5F067DC17 ,  5F067EA02 ,  5F067EA04

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