特許

J-GLOBAL ID：200903098406483130

半導体集積回路

発明者： 山田 豊修 ,  竹前 義博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147673
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095752
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 外部から供給される電源電圧よりも低い電圧(降圧電圧)をチップ内で発生し、この降圧電圧をチップ内の電源電圧として使用する半導体集積回路に関し、構成を複雑化することなく、しかも電力消費の点でも有利な正の温度特性をもつ降圧電源回路の提供を目的とする。【構成】 第1の電源線の電位Vccよりも低く、且つ、第2の電源線の電位Vssよりも高い電位の降圧電源電圧VINT を発生する降圧電源回路22を具備する半導体集積回路であって、前記降圧電源回路22が発生する降圧電源電圧VINT を、前記半導体集積回路の温度の上昇に伴って、より高い電位の電圧となるように構成する。

請求項（抜粋）：

第1の電源線の電位(Vcc, SVcc)よりも低く、且つ、第2の電源線の電位(Vss)よりも高い電位の降圧電源電圧(VINT )を発生する降圧電源回路(22)を具備する半導体集積回路であって、前記降圧電源回路(22)が発生する降圧電源電圧を、前記半導体集積回路の温度の上昇に伴って、より高い電位の電圧となるようにしたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G05F 3/24 ,  G11C 11/407 ,  H03K 19/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-162113
  
• 特開平3-017714
  
• 特開平4-098307
  
• 特開昭62-099817