半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224395
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088334
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】高集積DRAMに用いられる、高誘電率膜を容量膜として使用したキャパシタにおいて、キャパシタ間のカップリング容量を低減し、デバイスの歩留り低下、信頼性の劣化といった問題を排除する。【構成】キャパシタは蓄積電極106bと、これに積層した高誘電率膜108bと、対向電極113b(第1の対向電極109bと第2の対向電極110b)より構成される。隣接する蓄積電極106bは高誘電率膜108bより誘電率が例えば2桁程度小さい絶縁膜107bにより隔絶されている。このような構造のキャパシタを製造する際には、各々のキャパシタ用の高誘電率膜108bの上に第1の対向電極109bを配置した状態で、低誘電率の絶縁膜107bを埋め込むことにより、高誘電率膜108bにはダメージを与えない。

請求項（抜粋）：

主面をもつ半導体基板と、該半導体基板の主面上に形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に互いに離隔して配置され、かつ前記半導体基板と接続するように形成された複数の第1の導電部材と、該複数の第1の導電部材上にそれぞれ積層された複数の高誘電率膜と、該複数の高誘電率膜上にそれぞれ積層された複数の第2の導電部材と、隣接する前記第1の導電部材、前記高誘電率膜、及び前記第2の導電部材の間を隔絶する、前記高誘電率膜の誘電率よりも非常に低い誘電率を有する第2の絶縁膜と、隣接する前記第2の導電部材間をその上面で接続する第3の導電部材とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-356958
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-137074 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社, 日立計測エンジニアリング株式会社, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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