特許

J-GLOBAL ID：200903098411765747

アモルフアスシリコン薄膜の製造法

発明者： 近江 和明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062917
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 真空中で原子状水素を発生させるのに、a-Si層を生成するプラズマを安定に維持する上で、何等、障害とならない手段を用いる、現実的なアモルファスシリコン薄膜の製造法を提供する。【構成】 基板に対してa-Si層を堆積する膜堆積工程と、成膜領域へ原子状水素を供給する工程とを交互に繰返して、成膜するアモルファスシリコン薄膜の製造法において、上記原子状水素は、加熱した金属表面に水素分子を接触することで生成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板に対してa-Si層を堆積する膜堆積工程と、成膜領域へ原子状水素を供給する工程とを交互に繰返して、成膜するアモルファスシリコン薄膜の製造法において、上記原子状水素は、加熱した金属表面に水素分子を接触することで生成することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 V