特許
J-GLOBAL ID：200903098419106700
光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338371
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233238
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 効率よく太陽光を吸収しエネルギー変換を行うことができ、光電変換効率、安定性、耐久性に優れ、製造が容易な光半導体電極の提供。【解決手段】 半導体基材と、該半導体基材の表面に吸着された、下記式(I)R1 M1 Y13、式(II)R1 R2 M1 Y12、式(III)R1 R2 R3 M1 Y1 及び式(IV)R1 -SHで表される化合物から選択される少なくとも一種による化学吸着膜と、該化学吸着膜の表面に吸着された、ハロゲン原子と反応可能な官能基を有する色素とを有してなることを特徴とする光半導体電極である。
請求項（抜粋）：
半導体材料と、該半導体材料の表面に形成された、下記式(I)、式(II)、式(III)及び式(IV)で表される化合物から選択される少なくとも一種による膜と、該膜の表面に固定された、ハロゲン原子と反応可能な官能基を有する色素とを有してなることを特徴とする光半導体電極。式(I) R1 M1 Y13式(II) R1 R2 M1 Y12式(III) R1 R2 R3 M1 Y1式(IV) R1 -SHただし、これらの式中、R1 は、ハロゲン原子を少なくとも1つ含有する飽和又は不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表す。R2 及びR3 は、R1 と同一の基又は飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基を表す。M1 は、炭素以外の4価の元素を表す。Y1 は、加水分解性官能基であり、ハロゲン原子又はアルコキシ基を表す。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
