特許

J-GLOBAL ID：200903098426109501

半導体装置及びその製造方法

発明者： 渡邉 ひと美
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076280
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270578
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 2層の多結晶シリコンを用いた半導体装置において、DDD拡散層形成のための熱処理工程を削減し、ゲート酸化膜質や、トンネル酸化膜質の劣化を抑える。【解決手段】 第1の多結晶シリコンによりDDDトランジスタのゲート電極4(b)、及び容量素子の下部電極4(a)を形成した後、DDD不純物層6(a)を形成し、容量素子の絶縁酸化膜7(a)や、第2の多結晶シリコンをゲート電極8(b)とするトランジスタのゲート酸化膜7(b)形成のための熱酸化工程とDDD不純物層拡散工程を兼ねてDDD拡散層6(b)を形成することで製造工程を削減し、熱処理工程削減によるゲート酸化膜質やトンネル酸化膜質の向上を図る。

請求項（抜粋）：

少なくとも2層の多結晶シリコンを用いた半導体装置において、第1の多結晶シリコンによって14V以上の耐圧を持つ高耐圧トランジスタのゲート電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-135073