特許
J-GLOBAL ID：200903098430335141
半導体基板の熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052307
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233370
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】半導体基板の熱処理装置に於いて、加熱処理後の再現性を向上させ、加熱処理されたウェーハ間での熱履歴差を小さくし、製品の品質を安定させると共に、歩留まり及び生産性の向上を図る。【解決手段】透明容器1内に収納された被処理基板をランプ加熱する半導体基板の熱処理装置に於いて、ランプ4をケース12内部に収納し、該ケース12内部に冷却用気体を流通させた半導体基板の熱処理装置であり、冷却用気体により前記透明容器1を冷却する。
請求項（抜粋）：
透明容器内に収納された被処理基板をランプ加熱する半導体基板の熱処理装置に於いて、ランプをケース内部に収納し、該ケース内部に冷却用気体を流通させたことを特徴とする半導体基板の熱処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 21/26 J
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
