特許

J-GLOBAL ID：200903098439288880

超電導デバイス及びその製造方法並びにそれを用いた超電導トランジスタ

発明者： 鈴木 博 ,  井寄 将博 ,  臼井 辰朗 ,  善里 順信
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285621
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102543
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、製造の容易な超電導デバイス及びそれを用いた超電導トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 基板1としてNbを0.005重量%以上0.5重量%以下ドープした単結晶SrTiO<SB>3</SB>を用いる。この基板1上にBa<SB>1-p</SB>K<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)組成の超電導体層2aを設ける。

請求項（抜粋）：

基板としてNbを0.005重量%以上0.5重量%以下ドープした単結晶SrTiO<SB>3</SB>を用い、この基板上にBa<SB>1-p</SB>K<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)又はBa<SB>1-p</SB>Rb<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)の組成の超電導体層を設けたことを特徴とする超電導デバイス。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-091985
  
• 特開平2-144977
  
• 特開平1-146359