特許
J-GLOBAL ID:200903098440312824
ウェーハレベルパッケージのFBAR素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華 明裕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-017669
公開番号(公開出願番号):特開2005-094728
出願日: 2004年01月26日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】 本発明は小型化が可能で製造工程の簡素化により費用節減が図れるウェーハレベルパッケージのFBAR素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による素子は、所定の大きさの基板;前記基板の中央部に所定のエアギャップを置いて形成され外部から印加される電気信号に対応して共振機能を行う素子機能部;前記基板の上面上にその縁とほぼ接して形成され前記素子機能部と電気的に連結される多数の外部電極;及び、前記多数の外部電極を除いた全領域をカバーすべく前記基板の上部に接合されカバーとして機能するキャップから成る。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ウェーハレベルパッケージ工程によりパッケージングされたFBAR素子において、
所定の大きさの基板;
前記基板の中央部に所定のエアギャップを置いて形成され外部から印加される電気信号に対応して共振機能を行う素子機能部;
前記基板の上面上にその縁とほぼ接して形成され前記素子機能部と電気的に連結される複数の外部電極;及び
前記複数の外部電極を除く全領域をカバーするよう前記基板の上部に接合されカバーとして機能するキャップ;
を備えることを特徴とするウェーハレベルパッケージのFBAR素子。
IPC (3件):
H03H3/02
, H01L23/02
, H03H9/17
FI (3件):
H03H3/02 C
, H01L23/02 J
, H03H9/17 F
Fターム (5件):
5J108CC11
, 5J108EE02
, 5J108GG03
, 5J108KK04
, 5J108MM01
引用特許:
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