特許
J-GLOBAL ID：200903098440467100
窒化チタン膜の成膜方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102328
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、多層配線構造の高集積化に対応できる配線パターン構造を有する半導体装置およびその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 シリコン基板1上にチタン層2を形成する。ついで、アンモニアガス雰囲気中で熱処理を施し、窒化と結晶化との処理を同時に施す。この時、チタン層は、粒状の微結晶構造を有する窒化チタン層3となる。さらに、配線層としてのタングステン層4を形成する。この窒化チタン層3の粒状の微結晶構造は、高温の熱処理の際に、シリコン基板1から窒化チタン層3を通ってタングテン層4に拡散しようとするシリコン原子の通過を阻止する。従って、タングステン層4の形成後、高温の熱処理工程の平坦化工程が実施でき、歩留まりおよび信頼性の向上した多層配線構造を可能とし、高集積化に対応できる。
請求項（抜粋）：
基板上にチタン膜を成膜した後、窒化雰囲気中で熱処理を施すことにより、粒状の微結晶構造を有する窒化チタン膜を形成することを特徴とする窒化チタン膜の成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, C01B 21/06
, H01L 21/318
, H01L 21/3205
