特許
J-GLOBAL ID：200903098442264274
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220114
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】透明なサファイア基板にシリコン単結晶を形成して、このシリコン薄膜にLSIを形成するSOSプロセスにおいて、基板の裏面に形成された光透過防止膜により基板に反りや割れが生じないようにする。【解決手段】サファイア基板1の表面にシリコン薄膜を形成し、その表面を酸化してシリコン薄膜2上にシリコン酸化膜3を形成する。次に、シリコン酸化膜3の表面とサファイア基板1の裏面にポリシリコン膜4,5を形成する。次に、サファイア基板1の裏面のポリシリコン膜5上にレジストパターン6を形成し、これをマスクとしたエッチングを行う。これにより、サファイア基板1の裏面に、切れ込み7を有する光透過防止膜51が形成される。次に、シリコン酸化膜3とその上のポリシリコン膜4を除去してシリコン酸化膜2の表面を露出させた後、この状態で、シリコン薄膜2に対する半導体装置の形成を行う。
請求項（抜粋）：
透明な絶縁性基板の表面に半導体薄膜を形成し、この半導体薄膜に半導体装置を形成する半導体装置の製造方法において、半導体装置を形成する前の絶縁性基板の裏面に、切れ込みがパターニングされた光透過防止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 S
, H01L 21/316 S
