半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038929
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251564
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】リダンダンシー用ヒューズ素子の腐食を防止する。【構成】半導体基板1上にボンディング用パッド5とリダンダンシー用ヒューズ素子2を備えた下地デバイスを形成した後、パッシベーション膜を形成しここにボンディング用パッドとリダンダンシー用ヒューズ素子上のみ開孔し、予備電気的特性試験を行いこれにより必要なリダンダンシー用ヒューズ素子を切断し、しかる後、全体にポリイミド膜を塗布しボンディング用パッド上のに開孔する。【効果】切断する必要のないリダンダンシー用ヒューズ素子は厚いポリイミド膜によって被覆されているから、耐湿性が向上して腐食が防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上にボンディング用パッドとヒューズ素子とを有する下地デバイスを形成した後、パッシベーション膜を成長する工程と、その後、前記パッシベーション膜をパターニングして前記ボンディング用パッドと前記ヒューズ素子上を開孔する工程と、その後、予備電気的特性試験を行う工程と、その後、前記予備電気的特性試験の結果に基いて必要な前記ヒューズ素子をレーザーを用いて切断する工程と、その後、α線遮断用樹脂膜を塗布する工程と、その後、前記α線遮断用樹脂膜をパターニングして前記ボンディング用パッドのみを開孔する工程と、その後、熱処理を行う工程と、その後、電気的試験を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/82 , H01L 21/66 , H01L 23/02 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 27/10 491

FI (3件)：

H01L 21/82 R , H01L 21/82 F , H01L 23/30 D

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