特許
J-GLOBAL ID:200903098454362107
光出力装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-241194
公開番号(公開出願番号):特開平10-135568
出願日: 1997年09月05日
公開日(公表日): 1998年05月22日
要約:
【要約】【課題】 光出力特性の改善された面発光レーザーを採用した光出力装置を提供する。【解決手段】 基板と、この基板上に順次に積層された第1反射器層、活性層及び第2反射器層と、基板の下面と第2反射器層の上面の一部に各々形成された第1及び第2電極を含み、積層方向に光を出射する面発光レーザーと、この面発光レーザーから出射される光の一部を受光し、その出射光量を検出しうるように第2反射器層上に積層されたモニター用光検出器とを具備する。前記モニター用光検出器は順次に積層された第1半導体物質層及び吸収層と、第2半導体物質層と、第2半導体物質層上に形成されてモニター用光検出器の検出信号を出力する第3電極と、吸収層の下部に形成されて入射光の一部を遮断する制御層とを含む。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板の上部に形成されて光を生成する活性層と、前記活性層の上、下面に各々形成されて前記生成された光を反射させることにより共振させる第1及び第2反射器層と、前記基板の下面と前記第2反射器層の上面の一部に各々形成された第1及び第2電極とを含む面発光レーザーと、前記面発光レーザーから出射される光の一部を受光してその出射光量を検出しうるように、前記第2反射器層上に順次に積層された第1半導体物質層及び吸収層と、第2半導体物質層と、前記第2半導体物質層上に形成されて検出信号を出力する第3電極と、前記吸収層の下部に形成されて前記面発光レーザーから入射される光の一部を遮断させる制御層を含むモニター用光検出器とを具備することを特徴とする光出力装置。
前のページに戻る