特許

J-GLOBAL ID：200903098463050835

半導体装置およびその製造方法

発明者： 下 岡 義 明 ,  伊 藤 仁 ,  飯 島 匡 ,  須 黒 恭 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082798
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置を得ることを可能にする。【解決手段】 金属配線が形成された半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に被覆膜を形成する工程と、前記金属配線上の前記被覆膜および前記絶縁膜の領域に接続孔を形成する工程と、前記接続孔の底の前記金属配線の表面を清浄化する工程と、前記被覆膜を構成する元素との平均的な結合エネルギーが前記絶縁膜を構成する元素との平均的な結合エネルギーよりも高い元素で前記被覆膜の表面を終端させる工程と、前記接続孔内に金属膜を選択的に成長させる工程と、を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属配線が形成された半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上に被覆膜を形成する工程と、前記金属配線上の前記被覆膜および前記絶縁膜の領域に接続孔を形成する工程と、前記接続孔の底の前記金属配線の表面を清浄化する工程と、前記被覆膜を構成する元素との平均的な結合エネルギーが前記絶縁膜を構成する元素との平均的な結合エネルギーよりも高い元素で前記被覆膜の表面を終端させる工程と、前記接続孔内に金属膜を選択的に成長させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A