薄膜素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278622
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125214
出願日： 1994年10月19日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 n型半導体膜上にi型半導体膜を積層した薄膜素子の製造方法において、各半導体膜を別々の着膜装置で着膜する場合に、製造歩留りの向上を図ることを目的とする。【構成】第1の導電膜(金属電極)と、リンをド-ピングした非晶質シリコンからなるn型半導体膜と、非晶質シリコンからなるi型半導体膜と、第2の導電膜(透明電極)とを順次形成する薄膜素子の製造方法において、前記n型半導体膜12を形成した後に、前記i型半導体膜13に比べて薄いi型半導体薄膜から成る界面保護用膜13aを形成し、次いで真空を破った後に、界面保護用膜13a上に前記i型半導体膜13bを形成することにより、着膜装置を変更する場合において自然酸化膜を除去する等の表面処理を行なっても、前記界面保護用膜13aの存在によりn型半導体膜12に損傷を与えることを防止する。

請求項（抜粋）：

第1の導電膜と、リンをド-ピングした非晶質シリコンからなるn型半導体膜と、非晶質シリコンからなるi型半導体膜と、第2の導電膜とを順次形成する薄膜素子の製造方法において、前記n型半導体膜を形成した後に、前記i型半導体膜に比べて薄いi型半導体膜から成る界面保護用膜を形成し、次いで真空を破った後に、界面半導体膜上に前記i型半導体膜を形成することを特徴とする薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/10 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 21/302 C

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