特許
J-GLOBAL ID:200903098471395531

集積型光起電力装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西野 卓嗣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-164903
公開番号(公開出願番号):特開平6-005897
出願日: 1992年06月23日
公開日(公表日): 1994年01月14日
要約:
【要約】【目的】 エネルギービームの照射によりパターニングして成る集積型光起電力装置について、そのパターニングを良好に行い得る集積型光起電力装置を提供する。【構成】 第1電極膜(2a)(2b)...上に在る非晶質半導体膜(3a)(3b)...と、高反射金属膜(5a)(5b)...との間に金属酸化膜(4a)(4b)...を介在させ、その高反射金属膜(5a)(5b)...とこの金属膜上に形成された第2電極膜(6a)(6b)...とを、エネルギービームの照射によりその非晶質半導体膜(3a)(3b)...とともに除去することにある。
請求項(抜粋):
基板の一主面上に於ける複数の領域に第1電極膜、非晶質半導体膜、金属酸化膜、高反射金属膜、第2電極膜、半導体膜及び第3電極膜をこの順序で積層した光電変換素子を分割配置し、それら光電変換素子を当該素子間の隣接間隔部で、隣接する一方の光電変換素子の第3電極膜と他方の光電変換素子の第1電極膜とを直列接続せしめた集積型光起電力装置であって、複数に分割された第1電極膜と、上記第1電極膜上に形成され、且つその一部に開口部を有する、上記非晶質半導体膜と上記金属酸化膜との積層体と、上記開口部をも覆うように上記積層体上に形成されているとともに、エネルギービームの照射により該積層体と共に分割されている、上記高反射金属膜と上記第2電極膜との積層体と、隣接した一方の光電変換素子の第2電極膜上から、他方の光電変換素子の第1電極膜上にまで延在するように積層されているとともに、上記他方の光電変換素子の第1電極膜上に於けるエネルギービームの照射により分割されている半導体膜と、上記半導体膜上に積層され、該半導体膜と連なって上記エネルギービームの照射により露出せしめられた上記他方の光電変換素子の第1電極膜にまで延在し該第1電極膜と結合するとともに、その結合近傍に位置する上記他方の光電変換素子の第1電極膜上に於けるエネルギービームの照射により上記半導体膜とともに分割されている第3電極膜と、を備えていることを特徴とする集積型光起電力装置。

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