特許
J-GLOBAL ID：200903098473216367
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175684
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027583
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 封止性を向上させ、リードフレームの標準化とコスト低減を図る半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 配線部2aを有しかつ表面2bもしくは裏面2cの少なくともどちらか一方の面の外周部2dに配置する端子部2eが設けられたプリント基板2と、端子部2eを残してプリント基板2に搭載された半導体チップ1およびその周辺部1aを樹脂封止する樹脂部材3と、予め表面がめっきされかつ端子部2eに接続されるアウタリード4aとからなり、プリント基板2上で半導体チップ1の樹脂封止を行った後、プリント基板2にアウタリード4aが接続される。
請求項（抜粋）：
半導体素子を搭載し、外部リードが接続される絶縁基板を有する半導体集積回路装置であって、配線部を有し、かつ表裏面の少なくともどちらか一方の面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板と、前記端子部を残して前記半導体素子およびその周辺部を封止する封止部材と、予め表面がめっきされ、かつ前記端子部に接続される外部リードとを有し、前記絶縁基板上で前記半導体素子の封止を行った後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 N
, H01L 23/28 A
