パターン露光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014792
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213299
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【構成】 YAGレーザ光源1からのレーザ光を用いてYAG2倍波発生ユニット2で第2高調波レーザ光を発生し、さらに4倍波発生ユニット4で第4高調波レーザ光を発生して、信号波形発生ユニット8からの制御信号を用いて光変調ユニット7で変調した後に、ボリゴンミラー11及びfθレンズ12で等速直線走査させて、対物レンズ14でフォトマスク原盤15上に集光する。また、上記第2高調波レーザ光をアライメント光学系20に入力してフォトマスク原盤15を照明し、この照明光の反射光をアライメント光学系20のCCD撮像ユニット27で得て、画像処理ユニット28でアライメント・マークの位置を検出し、XYステージ制御系ユニット18でXYステージ17を移動制御する。【効果】より微細な設計ルールのパターン精度の要求を満足することができる。

請求項（抜粋）：

2次元パターンを形成すべき被露光媒体と、半導体素子から成るレーザ光源と、上記レーザ光源からのレーザ光を用いて、このレーザ光の第2高調波を発生する第2高調波発生手段と、上記第2高調波発生手段からの第2高調波レーザ光を用いて、上記レーザ光の第4高調波を発生する第4高調波発生手段と、上記第4高調波発生手段からの第4高調波レーザ光の強度を、上記2次元パターンに応じて制御する制御信号を出力する光強度制御信号発生手段と、上記光強度制御信号発生手段からの制御信号に基づいて、上記第4高調波発生手段からの第4高調波レーザ光の強度を制御する光強度制御手段と、上記光強度制御手段により強度が制御されたレーザ光を上記被露光媒体に対して相対的に走査させる走査手段と、上記走査手段により走査されたレーザ光を上記被露光媒体上に集光する集光手段と、上記第2高調波発生手段からの第2高調波レーザ光を上記被露光媒体上に導いて、2次元パターンを形成する際の位置合わせ用目印の位置を検出する位置検出手段と、上記位置検出手段からの検出信号を用いて上記被露光媒体を移動させる移動制御手段とから成ることを特徴とするパターン露光装置。

IPC (6件)：

H01L 21/027 , G02B 26/10 , G03F 7/20 505 , G03F 9/00 , H01S 3/091 , H01S 3/101

FI (4件)：

H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 515 D , H01L 21/30 525 L , H01S 3/091

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