特許
J-GLOBAL ID：200903098481628577
アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149928
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007997
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 アンダーエッチングの補正を行いながら、最小の溝幅を実現する。【構成】 ホトエッチングにより、シリコンウェハの{100}面に各辺が{110}面と平行な方形枠状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成する場合に、エッチングマスク21の方形パターン22の各頂点にその頂点を中心とし、一辺の長さHが上記溝の深さtの2倍とされ、各辺が{100}面と平行とされた正方形パターン31を付加し、このエッチングマスク21によってシリコンウェハを選択エッチングする。深さtの溝をエッチングするために最低限必要な溝幅と、方形台状部頂点のアンダーエッチング補正用の正方形パターン31の配置に必要な溝幅はほぼ等しく、アンダーエッチング補正のために溝幅を広げる必要はない。
請求項（抜粋）：
ホトエッチングにより、シリコンウェハの{100}面に各辺がそのシリコンウェハの{110}面と平行な方形枠状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成する方法におけるアンダーエッチングの補正方法であって、上記シリコンウェハに、上記方形台状部と対応する方形パターンを有し、かつその方形パターンの各頂点にその頂点を中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの2倍とされ、各辺が上記シリコンウェハの{100}面と平行とされた正方形パターンが付加されたエッチングマスクを形成し、そのエッチングマスクによって上記シリコンウェハを選択エッチングすることを特徴とするアンダーエッチングの補正方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 1/00 102
, G03F 1/08
, H01L 29/84
H01L 21/302 J
, C23F 1/00 102
, G03F 1/08 A
, H01L 29/84 B
