特許

J-GLOBAL ID：200903098491510370

発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオード

発明者： 加古 学 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-203672
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047760
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】電流阻止領域をより簡単に形成し、量産に適する高輝度の発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及び発光ダイオードの構造を提供すること。【解決手段】第一導電型の基板8上に、第一導電型クラッド層6、活性層5、第二導電型クラッド層4、第二導電型電流分散層2を順次エピタキシャル成長し、その表面側に円形又はそれに近い形状の表面側電極1を、また裏面側に全面または部分電極から成る裏面側電極9を、それぞれ周期的に配設し、上記基板8と裏面側電極9との間に、表面側電極1と中心を一致させた第二導電型又は絶縁性の電流阻止領域7又は10を配設し、それによってチップ周辺部まで電流が広がるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型の基板上に、第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型クラッド層、第二導電型電流分散層を順次エピタキシャル成長し、その表面側に円形又はそれに近い形状の表面側電極を、また裏面側に全面または部分電極から成る裏面側電極を、それぞれ周期的に配設した発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、 上記基板と上記裏面側電極との間に、上記の表面側電極と中心を一致させた第二導電型の電流阻止領域を配設したことを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェハ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 E

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB03 ,  5F041CB04