特許

J-GLOBAL ID：200903098496356379

成膜方法及び成膜装置

発明者： 川名 隆宏 ,  平塚 亮一 ,  小野寺 誠一 ,  川島 敦道
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060707
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251851
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 薄膜(例えばカーボン膜)の成膜速度を大きく向上させることができる成膜方法、及びその実施に使用できる成膜装置を提供すること。【解決手段】 反応室4内で成膜物質11を分解して、この反応室4に対向して配置された基体5上に薄膜を形成するに際し、基体5に関して反応室4内の成膜物質分解領域23とは反対側に第1の磁石1を配し、成膜物質分解領域23に関して基体5とは反対側に第2の磁石2を配して、これらの磁石の作用下で基体5上に薄膜を形成する成膜方法。反応室4内で成膜物質11を分解し、この反応室4に対向して配置された基体5上に薄膜を形成するに際し、反応室4内に磁束密度250〜1000ガウスの静磁場を基体5の厚み方向に沿って発生させながら、基体5上に薄膜を形成する成膜方法。及びこれらの成膜方法を再現性良く実施できる成膜装置。

請求項（抜粋）：

反応室内で成膜物質を分解して、この反応室に対向して配置された基体上に薄膜を形成するに際し、前記基体に関して前記反応室内の成膜物質分解領域とは反対側に第1の磁石を配し、前記成膜物質分解領域に関して前記基体とは反対側に第2の磁石を配して、これらの磁石の作用下で前記基体上に薄膜を形成する成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/85

FI (3件)：

C23C 16/44 B ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/85 Z