特許
J-GLOBAL ID：200903098500737544
集積半導体回路の接触孔形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261934
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196569
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に軌道形パターンを配置された集積半導体回路の自己整合形接触孔を形成する。【構成】 軌道形パターン3を、長さL1の導電領域2上にある2つの軌道形パターン間の間隔D1が隣接する半導体基板1上にある間隔D0よりも広い幅を有するように形成し、D1/2>D4≧D0/2でありまたL1/2≧D4である層厚d4を有する絶縁中間層4を施し、導電領域2が少なくとも部分的に露出するまで中間層4を異方性エッチングする各工程により、接触孔5が2つの軌道形パターン3間の深部にある導電領域2を少なくとも部分的に露出するようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に配設された軌道形パターンを有する集積半導体回路の自己整合による接触孔の形成方法において、軌道形パターン(3)を、長さL1の導電領域(2)上にある2つの軌道形パターン間の間隔D1が隣接する半導体基板(1)上にある間隔D0よりも広い幅を有するように形成し、D1/2>d4≧D0/2でありまたL1/2≧d4である層厚d4を有する絶縁中間層(4)を施し、導電領域(2)が少なくとも部分的に露出するまで中間層(4)を異方性エッチングする各工程により、接触孔(5)が2つの軌道形パターン(3)間の深部にある導電領域(2)を少なくとも部分的に露出するようにしたことを特徴とする集積半導体回路の接触孔形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
, H01L 27/108
H01L 21/88 K
, H01L 27/10 325 P
