特許
J-GLOBAL ID：200903098509138961
窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-117016
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるデバイス素子を製造するにあたり、基板に窒化物半導体を用いた素子を実現できる製造方法を提供する。【構成】 基板上部にn型窒化物半導体層を20μm以上の膜厚で成長させる工程と、該n型窒化物半導体層上部に少なくとも、アクセプター不純物を含む窒化物半導体層を成長させる工程と、アクセプター不純物を含む窒化物半導体層成長後に基板を除去する工程とを備えるか、若しくはスピネル基板上部にn型窒化物半導体層を20μm以上の膜厚で成長させる工程と、n型窒化物半導体層成長後に基板を除去する工程と、基板除去後のn型窒化物半導体層上部に少なくとも、アクセプター不純物を含む窒化物半導体層を成長させる工程を備える。
請求項（抜粋）：
基板上部にn型窒化物半導体層を20μm以上の膜厚で成長させる工程と、該n型窒化物半導体層上部に少なくとも、アクセプター不純物を含む窒化物半導体層を成長させる工程と、アクセプター不純物を含む窒化物半導体層成長後に基板を除去する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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