特許

J-GLOBAL ID：200903098511564498

一酸化炭素ガスセンサ

発明者： 河田 泰之 ,  市村 剛重 ,  津田 孝一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073950
公開番号（公開出願番号）：特開平7-260728
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】干渉ガスの影響がなく感度に優れる一酸化炭素ガスセンサを得る。【構成】絶縁性基板1上にn型金属酸化物半導体からなり、貴金属を含むスパッタ法で成膜した感ガス層3と、貴金属超薄膜からなる第1の触媒層4,貴金属酸化物超薄膜からなる第2の触媒層5,貴金属超薄膜からなる第3の触媒層6を順次重ね、次いで絶縁体の厚膜で貴金属を担持した酸化燃焼層7を積層する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の第1の主面に一対の電極と、感ガス層と、触媒層と、酸化燃焼層を有し、また第2の主面に他の一対の電極とヒータを有し、感ガス層はスパッタ法で成膜したn型金属酸化物半導体の薄膜で貴金属を添加してなるもので一対の電極と絶縁性基板上に選択的に積層され、触媒層は第1の触媒層である貴金属超薄膜,第2の触媒層である貴金属酸化物超薄膜,第3の触媒層である貴金属超薄膜をスパッタ法で順次前記感ガス層上に積層したものであり、酸化燃焼層は絶縁体の厚膜で貴金属を担持してなるもので前記感ガス層と触媒層を被覆し、ヒータは他の一対の電極と絶縁性基板上に選択的に形成されてなることを特徴とする一酸化炭素ガスセンサ。