特許
J-GLOBAL ID：200903098516896731
配線パターン形成材料およびパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051879
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267934
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、従来のドライエッチング技術を用いずに、容易に高解像度の微細な配線パターンを形成する。【構成】 半導体シリコン基板11上に高分子有機膜12として、金属含有高分子有機膜を塗布し、ベーキングを行う。この高分子有機膜12上に塗布されたレジスト膜13をマスクとして、微細なレジストパターン13pを形成する。このレジストパターン上からNaBH4から成る還元液15を滴下し、50°Cで10分間保ち続ける。この後、還元剤を除去すると、高分子有機膜12の表面にCuから成る金属層16を200nmの厚さで形成し、微細な金属配線パターンを形成する。次に、レジストパターン13pを除去し、さらに、この高分子有機膜12を熱処理することによって、ポリシリコン系高分子有機化合物を熱架橋させ、絶縁膜17を形成する。
請求項（抜粋）：
高分子有機化合物と、有機金属錯体、または金属塩とから成る配線パターン形成材料であって、還元液で膜表面を処理することによって前記有機金属錯体、または金属塩を膜表面に析出させ、熱処理することによって前記高分子有機化合物が架橋反応を起こし、絶縁膜を形成することを特徴とする配線パターン形成材料。
IPC (6件)：
H01L 21/312
, G03F 7/029
, G03F 7/075 521
, H01L 21/027
, H05K 1/09
, H05K 3/10
