特許

J-GLOBAL ID：200903098520231159

誘電体分離型半導体装置

発明者： 岸田 貴司 ,  鈴村 正彦 ,  前田 光英 ,  鈴木 裕二 ,  早崎 嘉城 ,  白井 良史 ,  高野 仁路
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337512
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181261
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 製造が容易で、半導体素子の動作に影響を与えずに半導体素子の温度を検知することができる誘電体分離型半導体装置の構造を提供する。【解決手段】 誘電体分離基板10の一主平面上に、基板間絶縁層12に達する島間分離領域15によって互いに電気的に絶縁された島状素子領域14を有する誘電体分離型半導体装置において、島間分離領域15内に、周囲温度によってその抵抗値が変化する温度検知用高抵抗領域16(抵抗体)を形成した。

請求項（抜粋）：

誘電体分離基板の一主平面上に、基板間絶縁層に達する島間分離領域によって互いに電気的に絶縁された島状素子領域を有する誘電体分離型半導体装置において、前記島間分離領域内に、周囲温度によってその抵抗値が変化する抵抗体を形成したことを特徴とする誘電体分離型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/762 ,  H01L 23/34

FI (3件)：

H01L 27/04 F ,  H01L 23/34 D ,  H01L 21/76 D