特許
J-GLOBAL ID：200903098522330634
不揮発性メモリのデータ変更方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339212
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 例えば装置出荷時の設定情報や、装置固有のパラメータ等は1バイト又は1ワードというような単位で書き込み・消去が必要であるため、電気的に1バイトずつ書き込み・消去が可能なEEPROM(Electrically Erasable andProgrammable Read Only Memory)に記憶されるのが一般的であった。【解決手段】 書き換え命令とデータが入力ポート1から来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロックをフラッシュROM4から読み込み、CPU3を介してバッファRAM2に退避のため書き込み、今、読み込んだフラッシュROM4内のブロックを消去する。次に、バッファRAM2内の目的アドレスのデータを新しいデータに書き換え、1ブロック分をまとめてフラッシュROM4に書き込む。すると、実際にはブロック全体を書き換えているものの、見かけ上は書き換えるべきデータをバイト/ワード単位で書き換えたように見える。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも1ブロックをバッファメモリに読み込む読み込み工程と、上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少なくとも1ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換え工程と、上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なくとも1ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程とを備えることを特徴とする不揮発性メモリのデータ変更方法。
IPC (2件)：
G06F 12/00 560
, G11C 16/02
G06F 12/00 560 A
, G11C 17/00 611 G
