特許

J-GLOBAL ID：200903098527963830

半導体集積回路

発明者： 田口 眞男 ,  江渡 聡 ,  竹前 義博 ,  吉岡 浩 ,  古賀 誠
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104725
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高速転送(転送速度重視)と低速転送(消電力性重視)の双方の入力回路に使用でき、また、CTTやGTLの微小振幅レベルにも、CMOSやTTLの大振幅の出力バッファにも使用できるようにする。【構成】高電位側電源と低電位側電源の間に直列接続された第1のPMOSおよびNMOSトランジスタ230a、と230bと、同じく第2のPMOSおよびNMOSトランジスタ231a,231bと、チップ内部回路からの信号論理に従って、これらの4つのトランジスタを選択的にオン/オフする制御手段233を備える。転送モード指定信号により、信号線路234と終端抵抗235の接続をオン/オフし、第1のPMOS,NMOSトランジスタと、第2のPMOS,NMOSトランジスタのどちらを駆動するか選択する。

請求項（抜粋）：

入力信号を受ける信号増幅回路への電源電圧供給を制御するスイッチ手段と、前記入力信号の振幅若しくは周波数に応じて前記スイッチ手段を選択的にオン/オフする制御手段とを具備することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0185 ,  G11C 11/417 ,  H03K 19/0175

FI (4件)：

H03K 19/00 101 B ,  G11C 11/34 305 ,  H03K 19/00 101 K ,  H03K 19/00 101 F