特許

J-GLOBAL ID：200903098532450751

活性化ダイヤモンド粒子放出体を有する電界放出デバイスおよびその製造方法

発明者： サンゴー ジン ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー ,  ウェイ ズー
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012718
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241665
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【解決手段】 電子の電界放出デバイスを製造する方法である。ダイヤモンドを含む粒子を供給する工程と、ダイヤモンドの大部分の最大寸法を5〜10,000nmの範囲とする工程と、粒子に300°Cを越える温度の水素を含むプラズマにさらす工程と、導電性部分を有する基板に粒子を接着する工程と、ダイヤモンド粒子に隣接して電極を配置する工程と、を有する方法である。【効果】 製造速度を高め、コストを低減させ、水素プラズマおよび高温度にさらされることによるデバイス基板への損傷の可能性を低下させる。

請求項（抜粋）：

電子の電界放出デバイスを製造する方法において、(A)ダイヤモンドを含む粒子を供給する工程と、(B)前記ダイヤモンドの大部分の最大寸法を5〜10,000nmの範囲とする工程と、(C)前記粒子に300°Cを越える温度の水素を含むプラズマにさらす工程と、(D)導電性部分を有する基板に前記粒子を接着する工程と、(E)前記ダイヤモンド粒子に隣接して電極を配置する工程と、を有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B ,  H01J 31/12 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 超微細ダイヤモンド粒子状エミッタを用いた電界放出素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334790   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション