特許

J-GLOBAL ID：200903098533571749

フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  高 次元 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186548
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055361
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 フォトレジスト組成物のPED安定性を確保できる添加剤の提供。【解決手段】化学増幅型レジストに式1のフェニレンジアミン誘導体を添加する。で、Bはであり、B′は、又はRはH、C1〜10のアルキル、Aは露光部で発生した酸により全体又は一部が離脱され、アルカリ現像液に溶解可能な親水性機能基、例えばテトラヒドロピラン-2-イル、アルキル基に置換されたテトラヒドロピラン-2-イル等である。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト組成物の露光後遅延安定性向上のための添加剤として用いられ、下記式(1)で示されることを特徴とするフェニレンジアミン誘導体。【化1】前記式で、Bは【化2】であり、B’は、【化3】又は【化4】であり、Rは水素又は炭素数1〜10のアルキル基であり、Aは露光部で発生した酸により全体又は一部が離脱され、アルカリ現像液に溶解可能な親水性機能基に変化する保護基である。

IPC (10件)：

C07C217/08 ,  C07C213/02 ,  C07C269/04 ,  C07C271/28 ,  C07D307/22 ,  C07D309/14 ,  G03F 7/004 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C07B 61/00 300

FI (10件)：

C07C217/08 ,  C07C213/02 ,  C07C269/04 ,  C07C271/28 ,  C07D307/22 ,  C07D309/14 ,  G03F 7/004 502 ,  G03F 7/039 601 ,  C07B 61/00 300 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• N,N′-ビス(キノリン-4-イル)ジアミン誘導体、それらの製造方法、及び抗マラリア剤としてのそれらの用途
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-501566   出願人：エフ・ホフマン-ラロシュアーゲー
• 特開平2-181753