特許

J-GLOBAL ID：200903098536604737

酸化物薄膜の作製方法

発明者： 森山 弘朗 ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308433
公開番号（公開出願番号）：特開平7-232961
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 薄膜キャパシター、圧電体、焦電体等に利用可能な、均一で化学的量論性に優れた酸化物強誘電体薄膜または酸化物常誘電体薄膜を安定して作製する方法を提供する。【構成】 式(Bax Sr1-x )TiO3 (0≦x≦1)で表される酸化物薄膜の作製方法において、式:R1 OR2 OH(式中、R1 は脂肪族炭化水素基、R2 はエーテル結合を有してもよい2価の脂肪族炭化水素基を表す。)で示される溶媒に、式:Ba(OR3 )2 、Ti(OR4 )4 およびSr(OR5 )2 (式中、R3 、R4 およびR5 は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表す。)で示される金属アルコキシド化合物のそれぞれを同時または任意の順序で添加して混合した後、加熱反応させ、得られた混合溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理する。R1 がメチル基の場合は、式Ba(OR3 )2 の金属アルコキシド化合物を添加、反応させた後、他の金属アルコキシド化合物を添加する。

請求項（抜粋）：

一般式(Ba<SB>x </SB>Sr<SB>1-x </SB>)TiO<SB>3 </SB>(0<x≦1)で表される酸化物薄膜の作製方法において、下記一般式(I-A)で示される溶媒に、R<SP>1 ′</SP>OR<SP>2 </SP>OH (I-A)(式中、R<SP>1 ′</SP>は炭素数2以上の脂肪族炭化水素基を表し、R<SP>2 </SP>はエーテル結合を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素基を表す。)下記一般式(II)および(III )で示される2種の金属アルコキシド化合物または一般式(II)ないし(IV)で示される3種の金属アルコキシド化合物を、Ba(OR<SP>3 </SP>)<SB>2 </SB> (II)Ti(OR<SP>4 </SP>)<SB>4 </SB> (III )Sr(OR<SP>5 </SP>)<SB>2 </SB> (IV)(式中、R<SP>3 </SP>、R<SP>4 </SP>およびR<SP>5 </SP>は、それぞれ脂肪族炭化水素基を表す。)同時または任意の順序で添加して混合した後、加熱反応させ、得られた混合溶液を基板上に塗布して薄膜を形成し、次いで熱処理することを特徴とする酸化物薄膜の作製方法。

IPC (5件)：

C04B 35/46 ,  C01G 23/00 ,  C23C 18/12 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

C04B 35/46 N ,  C04B 35/46 P