特許
J-GLOBAL ID：200903098537394876
配線基板のビアホール形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198950
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 多層配線基板を構成する絶縁層へのビアホール形成方法に関し、簡単な工程で良質のビアホールを形成することを目的とする。【構成】 エキシマレーザ光によるアブレーションを利用し、多層配線基板の絶縁膜にビアホールを形成する方法において、この絶縁膜が芳香環またはヘテロ環を構造中に有する熱硬化樹脂を多孔質ポリテトラフロロエチレン膜に含浸させたものにより構成されており、波長が190nm 以上で且つ1パルス当たりの発光時間が1ns以上のKrFまたはXeClエキシマレーザ光を用いて配線基板のビアホール形成方法を構成する。
請求項（抜粋）：
エキシマレーザ光によるアブレーションを利用し、多層配線基板の絶縁膜にビアホールを形成する方法において、該絶縁膜が芳香環またはヘテロ環を構造中に有する熱硬化樹脂を多孔質ポリテトラフロロエチレン膜に含浸させたものにより構成されており、また、前記エキシマレーザ光が波長190nm 以上で且つ1パルス当たりの発光時間が1ns以上であることを特徴とする配線基板のビアホール形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
