特許
J-GLOBAL ID：200903098551330341
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-308794
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144844
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 Al等の変質性の大きいショットキゲート電極を用いたMESFETにおいてコンタクト抵抗の増大による素子不良を防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 電極からコンタクト部を介してパッドへの引出しを複数個形成する工程と、前記引出しより複数個のパッドを形成する工程と、前記複数のパッド間に所定の電流を印加する工程からなる構成とする。
請求項（抜粋）：
電極からコンタクト部を介してパッドへの引出しを複数個形成する工程と、前記引出しより複数個のパッドを形成する工程と、前記複数のパッド間に所定の電流を印加する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 29/80 B
, H01L 21/88 B
