特許

J-GLOBAL ID：200903098552465437

半導体素子の製造方法

発明者： コ ヨ ファン ,  バク チャン クァン ,  ファン ソン ミン ,  ノ クァン ミョン
出願人/特許権者： ヒヨンデ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニーリミテッド
代理人 (1件)： 佐藤 英昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-351948
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236729
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の製造方法において、ビットラインを先に形成した後ビットライン内部を貫通してコンタクトホールを形成する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ビットライン上部に食刻率の異なる二つの絶縁層を食刻して形成したT字形のパターンにビットラインのすぐ上の絶縁層まではT字形パターンの頭部分が延長される形状に食刻し、ビットラインからソースやドレーンまではT字形パターンの脚部分が延長される形状に食刻してビットラインコンタクトを形成し、他のT字形パターンを利用してT字形の頭とT字形の脚とが延長される形状に上下部の絶縁層を食刻してストレージノードコンタクト部を形成する。

請求項（抜粋）：

ソース、ドレーン及びゲートの活性電極を有する半導体基板の上に第1絶縁層を堆積する段階;上記第1絶縁層の上に導電層を形成してビットラインのパターンとする段階;上記ビットラインと第1絶縁層を完全に覆うように第2絶縁層を堆積する段階:上記第2絶縁層の上に食刻比が互いに異なる第3絶縁層及び第4絶縁層を順次堆積する段階;上記第4絶縁層及び第3絶縁層にパターンをマスクして食刻することにより、断面がT字形の絶縁層パターンを形成する段階;上記T字形の絶縁層パターンの側壁に多結晶シリコンスペーサを形成する段階;上記T字形の絶縁層パターンを含む構造の上の全面に第5絶縁層を堆積する段階;第1群のT字形の絶縁層パターンの上部の上記第5絶縁層の上にビットラインコンタクトホールを形成するための第1フォトレジストマスクパターンを形成する段階;上記第5絶縁層、T字形の絶縁層パターンの所定部分を上記第1フォトレジストマスクパターンを食刻障壁として、上記第2絶縁層の所定部分を多結晶シリコンスペーサを食刻障壁として、上記ビットラインの所定部分を食刻された第2絶縁層を食刻障壁として、また、上記第1絶縁層を食刻されたビットラインを食刻障壁としてそれぞれ食刻することによりコンタクトホールを形成する工程と;上記コンタクトホールに多結晶シリコンを埋立してビットラインコンタクトパターンを形成する段階;埋め立てられたコンタクトパターンを含んだ全面に第6絶縁層を堆積する段階;ストレージノードコンタクトを形成するための第2群のT字形パターン上部の上記第6絶縁層の上に第2フォトレジストマスクパターンを形成する段階;上記第6絶縁層及び第5絶縁層の所定部分、T字形絶縁層パターンを第2フォトレジストマスクと多結晶シリコンスペーサを食刻障壁として食刻し、第2絶縁層、第1絶縁層を多結晶スペーサを食刻障壁として食刻することにより、ストレージノードコンタクトホールを形成する段階を含み、上記第4絶縁層はT字形パターンの頭部分になり、上記第3絶縁層はT字形パターンの脚部分になることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/10 621 B