平坦性のシミュレーション方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-154835
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008038
出願日： 1995年06月21日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】配線層のパターン形状に制約されずにシミュレーションを実行する。【構成】まず半導体装置の表面を多数のセルに分割する。各セル111に対して、セル111内の凸部301の占有率dに対して、セル111の研磨速度rを、r=r0・g/dで算出する。定数r0は、すべてのセルが平坦であるときの研磨速度であり、係数gは正の定数cを用いて、g=1+c・(セル111の高さ-周辺のセルの高さ)で与えられる。この研磨速度rを用いて、各時刻の高さがつぎの時刻の高さへと更新される。つぎに、各セルの更新された高さを用いて、つぎの時刻での研磨速度が算出される。そして、以上の処理を反復する。【効果】各セル内の凸部の占有率と各時刻での各セルの高さとを用いて研磨速度が算出されるので、配線層のパターン形状に対する制約がなく、あらゆるパターン形状の装置に対して実施可能である。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を有する対象物の当該表面を研磨によって平坦化する過程を計算機上で模擬する平坦性のシミュレーション方法において、(a)前記表面を複数のセルに観念上分割する工程と、(b)前記複数のセルの各1ごとに、セル内の最も高い部分の高さを算出する工程と、(c)前記複数のセルの各1ごとに、セル内に占める前記部分の面積率と、当該セルとその周辺のセルにおける前記高さとにもとづいて、当該セルにおける研磨速度を算出する工程と、(d)前記複数のセルの各1ごとに、前記研磨速度にもとづいて、前記高さをつぎの時刻における高さに更新する工程と、を備え、所定の終了条件を満たすまで、前記工程(b)ないし(d)を1回以上実行することを特徴とする平坦性のシミュレーション方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , G06F 17/00 , G06F 17/50 , H01L 21/304 321

FI (5件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 Z , G06F 15/20 D , G06F 15/60 636 D , H01L 21/88 Z

前のページに戻る