特許
J-GLOBAL ID：200903098561254058
熱電気変換モジュール,熱電子冷却装置及び冷凍庫
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331754
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181341
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 カスケード方式によらない新規のモジュール構造とそれを用いた熱電子冷却装置及び冷凍庫を提供すること。【構成】 熱電気変換モジュールは,一枚の耐熱性絶縁基板1の中心部と,外周の一部に夫々形成された金属リング厚膜3及び半リング状の一対の厚膜電極2a,2b膜と,リング状の形状を持つN型及びP型半導体厚膜4,5とを対比させて積層させている。このN型半導体厚膜4,金属リング厚膜3,P型半導体厚膜5及び電極厚膜2a,2bから熱電対を形成した。この熱電気変換モジュール10の,耐熱性絶縁基板1上の金属リング厚膜3,N型及びP型半導体厚膜4,5及び電極厚膜2a,2bは,スクリーン印刷法で形成されている。また,熱電子冷却装置は,この熱電気変換モジュール10を複数枚重ね合わせ,これ等を電気的に直列に配列されている。
請求項（抜粋）：
一枚の耐熱性絶縁板の中心部及びこの中心部の周囲に夫々形成されたリング状の第1の金属膜及び半リング状の一対の第2の金属膜と,前記第1及び第2の金属膜間に対向形成された半リング状のN型及びP型半導体厚膜とを備え,前記第2の金属膜を前記N型及びP型半導体厚膜の夫々の電極端子とし,前記N型半導体厚膜及び前記P型半導体厚膜を前記第1の金属膜を介して接合して熱電対を構成したことを特徴とする熱電気変換モジュール。
IPC (3件)：
H01L 35/32
, F25B 21/02
, F25D 11/00 101
