特許
J-GLOBAL ID：200903098561514963
固体撮像装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-087380
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284166
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】フォトダイオード(PD)がサーフェスシールド構造であり、完全空乏化したPDであっても低電圧でPDの信号電荷を完全転送できるようにすること。【解決手段】半導体基板(Sub) 1上に形成された第1導電型のウェル(well)領域2と、該well領域2と該well領域2上に形成された第2導電型サーフェスシールド領域6とからなるフォトダイオード(PD)3と、PD3の第2導電型領域7の上部に形成された第1導電型の表面層6とPD3における第2導電型領域7そしてPD3部分に近接して形成された読出しゲート(TG)4部と、TG4の他方に近接して形成される第2導電型のドレイン領域5(検出ノード部10) とを備える固体撮像装置の単位セル部において、TG4下の基板1内部にwell領域2よりも高濃度の第1導電型バリア層8を形成しPD3の第2導電型領域7と、該第2導電型領域7に隣接しTG4下に形成される第2導電型の貫通チャネル層9を有する構造とした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型のウェル領域と、このウェル領域上に形成された第2導電型領域とからなるフォトダイオード部と、フォトダイオード部の第2導電型領域上部に形成された第1導電型の表面層と、前記第1導電型のウェル領域における前記フォトダイオード部の第2導電型領域近傍に形成された第2導電型のドレイン領域と、当該ドレイン領域と前記フォトダイオード部の第2導電型領域との間における前記ウェル領域上部に設けられた読み出しトランジスタのゲート部とを有する固体撮像装置において、前記フォトダイオード部の第2導電型領域と第2導電型のドレイン領域とを深層部で接続する第1導電型バリア層を形成し、かつ、この第1導電型バリア層と前記ゲート部下との間には、前記フォトダイオード部の第2導電型領域から迫り出す高濃度第2導電型のチャネル構成層を設ける構成としたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
, H04N 5/335 U
