特許

J-GLOBAL ID：200903098564714475

半導体素子およびその製造方法および半導体装置およびその製造方法

発明者： 本間 荘一 ,  岡田 隆 ,  田窪 知章 ,  平野 尚彦 ,  田沢 浩 ,  土井 一英 ,  細美 英一 ,  柴崎 康司
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010217
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205096
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】バンプの潰れまたはバンプの剥離が発生することなく、高い信頼性を有する半導体素子および半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1の一主面に形成されている電極パッド2と、電極パッド2上に形成されている金属層7と、この金属層7上に形成されている突起電極8とを具備し、突起電極8は、金属層7の表面を覆ってこれに接着されているはんだ溶融処理温度で溶融しない高融点はんだ9と、この高融点はんだ9の少なくとも上部を覆うように形成されはんだ溶融処理温度で溶融する低融点はんだ10 ́とにより構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に形成されている電極パッドと、この電極パッド上に形成されている金属層と、この金属層上に形成されている突起電極とを具備する半導体素子において、前記突起電極は、前記金属層の表面を覆ってこれに接着されているはんだ溶融処理温度で溶融しない高融点はんだと、この高融点はんだの少なくとも上部を覆うように形成され前記はんだ溶融処理温度で溶融する低融点はんだとにより構成されることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (6件)：

H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 C