半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037623
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】3ステート出力バッファを備えた3V駆動のデバイスと5V駆動のデバイスとのバスを共有化すること。【構成】3ステート出力回路の出力端子11と、その前段のMOSトランジスタ4A,5Aとの間に、トランスファゲート8を設ける。これにより、出力端子11につながるP型MOSトランジスタ4Bのゲート幅Wを小さくすることで、P型拡散層面積を小さくし、寄生ダイオードの接合面積に比例する順方向電流を小さくすることができる。【効果】3V駆動のデバイスと5V駆動のデバイスとのバスを共有化できる。

請求項（抜粋）：

出力端子と最終段出力回路との間に、トランスファーゲートを設けた3ステート出力バッファを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

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