特許

J-GLOBAL ID：200903098569669206

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 宮戸 孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248177
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077327
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタ容量を多く確保することができる半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 複数のメモリセルを有する半導体装置において、隣接するメモリセル同士のキャパシタ22および23が互いに異なる層に形成され、隣接するキャパシタ22および23の形成領域が平面的に重なる領域を有するものである。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有する半導体装置において、上記隣接するメモリセル同士のキャパシタが互いに異なる層に形成され、上記隣接するキャパシタの形成領域が平面的に重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 A ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (9件)：

5F083AD22 ,  5F083AD24 ,  5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD57 ,  5F083AD61 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083PR40