半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093848
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】半導体材料を溶融させる際に発生する酸化物または水分の半導体層への混入を抑制して、良好な半導体層をエピタキシャル成長させる。【解決手段】半導体ウエハWを保持する処理容器1には、その上方に配置されたるつぼ2から溶融半導体材料が供給される。るつぼ2中で固体の半導体材料を溶融させる際には、真空ポンプ25によって、処理室5の真空排気が行われる。これにより、半導体材料を溶融させる際に発生する酸化物または水分が処理室5外へ排除される。その後に、清浄な状態の処理室5内で、半導体ウエハW上に半導体層がエピタキシャル成長させられる。

請求項（抜粋）：

処理室内に半導体基板を配置する工程と、前記処理室内で半導体材料を加熱して溶融させる加熱溶融工程と、前記加熱溶融工程と並行して前記処理室の真空排気を行う真空排気工程と、前記加熱溶融工程によって溶融された半導体材料を前記半導体基板の表面に供給して、この半導体基板の表面に半導体層をエピタキシャル成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/208 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/208 L , H01L 33/00 B

Fターム (24件)：

5F041AA40 , 5F041CA37 , 5F041CA63 , 5F053AA03 , 5F053AA26 , 5F053AA44 , 5F053AA48 , 5F053BB04 , 5F053BB23 , 5F053BB52 , 5F053BB53 , 5F053BB57 , 5F053DD03 , 5F053DD07 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053LL02 , 5F053PP03 , 5F053PP20 , 5F053RR04 , 5F053RR11

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