特許
J-GLOBAL ID：200903098581355942
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213471
出願日： 1995年02月01日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高耐圧が必要なバイポーラトランジスタと高速化が必要なバイポーラトランジスタとを同一チップ内に搭載することを可能にする。【構成】 第1バイポーラトランジスタ31と第2バイポーラトランジスタ51とを同一チップ内に搭載したもので、第1バイポーラトランジスタ31の第1ベース領域34が第2バイポーラトランジスタ51の第2ベース領域54よりも低い不純物濃度で形成されているものであり、例えば、第1バイポーラトランジスタ31は出力バッファ回路のバイポーラトランジスタであり、第2バイポーラトランジスタ51は出力バッファ回路以外の回路のバイポーラトランジスタとして構成されているものである。そして上記第1,第2ベース領域34,54は別々のイオン注入工程により形成する。
請求項（抜粋）：
第1バイポーラトランジスタと第2バイポーラトランジスタとを同一チップ内に搭載した半導体装置であって、前記第1バイポーラトランジスタのベース領域は、前記第2バイポーラトランジスタのベース領域よりも低い不純物濃度で形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/06 101 B
, H01L 29/72
